日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃
可以根據(jù)設備配置自由定制,Depo-Up和Down,定制板支架,板旋轉(zhuǎn)/上/下/上/下,傾斜加熱和反向濺射等各種功能都包含在該單元中。
各種加熱絲:NiCr,石墨,CCC,Inconel,鎢,鉬,SiC / PBN / PG涂層,鹵素燈和其他10種類型
總覽基板加熱階段需要加熱階段,例如垂直提升機構(gòu)(基板支架和加熱頭中的一個或兩個),基板旋轉(zhuǎn),RF / DC基板偏壓(反向飛濺RF / DC清潔)和加熱部分傾斜。它是具有多種功能的“多合一”組件。我們可以滿足對半導體制造設備和各種真空設備(氣相沉積設備,濺射,CVD設備)的所有要求。 | ||
2寸熱舞臺_800C
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晶圓托盤_提起
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應用/用例?半導體制造,薄膜的實驗設備,RF / DC反濺射,PECVD,RIE等 |
加熱部位規(guī)格?NiCr加熱器 | ||
各部分名稱
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日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃
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