電阻測(cè)量?jī)xEC-80P在多晶硅納米薄膜檢測(cè)中的運(yùn)用

不同摻雜濃度的多晶硅納米薄膜,研究了摻雜濃度對(duì)多晶硅納米薄膜壓阻和電學(xué)修正特性的影響。利用低壓化學(xué)氣相淀積法制備了不同摻雜濃度的多晶硅納米薄膜,摻雜濃度分別為1.0×1020 cm-3、2.0×1020 cm-3、4.1×1020 cm-3和7.1×1020 cm-3。利用應(yīng)變系數(shù)測(cè)量裝置對(duì)不同摻雜濃度多晶硅納米薄膜的應(yīng)變系數(shù)進(jìn)行了測(cè)量;利用恒流源和萬(wàn)用表測(cè)量不同摻雜濃度多晶硅納米薄膜的電學(xué)修正特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:多晶硅納米薄膜的應(yīng)變系數(shù)與摻雜濃度有關(guān),應(yīng)變系數(shù)范圍:33.38～38.41;利用電學(xué)方法能夠修正多晶硅納米薄膜的電阻,最大修正范圍可達(dá)15.4%。多晶硅納米薄膜具有較高的應(yīng)變系數(shù),適用于制作壓阻式傳感器;電學(xué)修正可用來(lái)調(diào)整多晶硅納米薄膜的電阻,進(jìn)而降低傳感器的失調(diào)。 

日本napson便攜式導(dǎo)電薄膜無(wú)損（渦流法）電阻測(cè)量?jī)xEC-80P

產(chǎn)品特點(diǎn)